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研究関連情報

システム工学部 システム工学科 材料工学メジャー

講師

小田 将人 (オダ マサト)

ODA Masato

【学術誌掲載論文】
[1]. Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated by interacting quasi-band theory Japanese Journal of Applied Physics 巻号:58 pp.021002 (2018 年度) 詳細
[2]. First-principles Calculation of electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN Japanese Journal of Applied Physics 巻号:56 pp.091001 (2017 年度) 詳細
[3]. First-principles Calculation of Initial Oxidation Process on Ge(100) Surfaces Japanese Journal of Applied Physics 巻号:55 pp.08PE03 (2016 年度) 詳細
[4]. Interacting quasi-band theory for electronic states in compound semiconductor alloys: Wurtzite structure Jpn. J. Appl. Pays. 巻号:55 pp.051202 (2016 年度) 詳細
[5]. Electronic strucuture calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory Physics Status Solidi b 巻号:254 pp.1600519 (2016 年度) 詳細
[6]. Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Zincblende structure Japanese Journal of Applied Physics 巻号:54 pp.091202 (2015 年度) 詳細
[7]. Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Wurtzite structure Japanese Journal of Applied Physics 巻号:55 pp.051202 (2015 年度) 詳細
[8]. Evaluation of Stretching Properties of [7]Thiaheterohelicene Framework Called “Molecular Spring” Using AFM Force Measurements and Electrostatic State Calculations Bulletin of the Chemical Society of Japan 巻号:88 pp.544 (2014 年度) 詳細
[9]. Origin of Electronic Transport of Lithium Phthalocyanine Iodine Crystal AIP Conference Proceedings 巻号:1566 pp.183 (2013 年度) 詳細
[10]. Optical Ionization of a Phenylalanine on C(111) surfaces Transactions of Materials Research Society of Japan 巻号:38[3] pp.381 (2013 年度) 詳細
[11]. Electronic State of a Lipid Membrane Reinforced with Siloxane Bond e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 巻号:12 pp.112 (2013 年度) 詳細
[12]. Stable structure of di-amino-terphenyl molecule on Si(001) surfaces Physica status solidi c 巻号:9 pp.1443 (2012 2月) 詳細
[13]. 「公開体験学習会ツアーコンダクター」の観光教育的効果についての一考察 和歌山大学観光学部紀要「観光学」 巻号:1 pp.47-54 (2009 5月) 詳細
[14]. Energy-Level Alignment, Ionization, and Stability of Bio-Amino Acids at Amino Acid/Si Junctions Japanese Journal of Applied Physics pp.47, 3712-3718 (2008 5月) 詳細
[15]. Electorn Transport in a pai-stacking Molecular Chain Jurnal of Physical Chemistry B pp.112, 2795 (2008 2月) 詳細
[16]. Charge Injection from Si substrate into Amino Acids Japanese Journal of Applied Physics pp.45, 8939-8942 (2006 10月) 詳細
[17]. Electronic-state control of amino acids on semiconductor surfaces Applied Surface Science pp.244, 627-630 (2005 1月) 詳細
【国際会議発表】
[1]. Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated using IQB theory Compound Semiconductor Week 2018 (2018 年度) 詳細
[2]. Migration Energy of a N Atom around Ga Vacancy in GaN International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018 (2018 年度) 詳細
[3]. Phonon modes Analysis of AlN/InN Superlattice International Symposium on Growth of III-Nitrides 2018 (2018 年度) 詳細
[4]. Electronic Structures of a Cerasome Surface Model AiMES2018 ECS and SMEQ Joint International Meeting (2018 年度) 詳細
[5]. Electronic Structures of a NGa-VN complex defect in GaN International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (2018 年度) 詳細
[6]. Stable Surface Structures of a Cerasome Model Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures 2018 (2018 年度) 詳細
[7]. First-principles Calculation of Electronic States of Ga2O3 Modulated by Oxygen Vacancies 29th International Conference of Deftcts in Semiconductors (2017 年度) 詳細
[8]. Effects of Surface Substituents on Electronic Structures of a Cerasome Model 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (2017 年度) 詳細
[9]. Electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (2017 年度) 詳細
[10]. Electronic Structures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Interacting Quasi- band Model Compound Semiconductor Week 2016 (2016 年度) 詳細
[11]. Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB Theory Compound Semiconductor Week 2016 (2016 年度) 詳細
[12]. First-principles calculation of electronic structures and phonon modes at a Ga vacancy in GaN 2016 International Conference on Defects in Insulating Materials (2016 年度) 詳細
[13]. Effects of Surface Substituents on Electronic Structu- res of a Cerasome Model 13th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (2016 年度) 詳細
[14]. Electronic Structures of a Cerasome Surface Model Symposium on Surface Science & Nanotechnology -25th Anniversary of SSSJ Kansai- (2016 年度) 詳細
[15]. First Principles Study for Initial Oxidation Process on Ge(100) Surfaces 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (2015 11月) 詳細
[16]. Electronic Structures of a Cerasome Model 31th European Conference on Surface Science (2015 9月) 詳細
[17]. First-Principles Calculation for Initial Oxidation Process on Ge(100) Surfaces IUMRS-ICA (2014 8月) 詳細
[18]. Adsorption Structure of an Aniline on Si(111)7×7 Surfaces IUMRS-ICA (2014 8月) 詳細
[19]. Thermal Attractive Interaction between Excitons IUMRS-ICA (2014 8月) 詳細
[20]. Electronic structures of Amino-acids on H-terminated C(111) surfaces The 7th International Symposium on Surface Science (2014 年度) 詳細
[21]. Electronic structure of a Cerasome Model International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design2014 (2014 年度) 詳細
[22]. Adsorption State of Aniline on Si(111)7x7 Surfaces 7th International Conference on Materials for Advanced Technologies (2013 年度) 詳細
[23]. Electronic structures of lipid bilayer membrane reinforced with siloxane bond 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (2013 年度) 詳細
[24]. Bias voltage dependances of STM images of diamino-terphenyl adsorbed on Si(001) surfaces International Symposium on Computics: Quantum Simulation and Design (2012 10月) 詳細
[25]. Origin of electronic transport of Lithium Phthalocyanine Iodide crystal 31st International Conference on the Physics of Semiconductors 2012 (2012 8月) 詳細
[26]. Optical ionization of a phenylalanine on C(111) surfaces International Union of Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 (2012 年度) 詳細
[27]. Stable structure of di-amino-terphenyl molecule on Si(001) surfaces International Conference on the Formation of Semiconductor Interface (2011 7月) 詳細
[28]. The Smallest diameter of Semiconducting Carbon Nanotubes The 6th International Workshop on Nano-scale Spectroscopy and Nanotechnology (2010 10月) 詳細
[29]. The smallest diameter of semiconductiong Carbon Nanotube International Symposium on the Physics of Excitation-assisted Nano-processes pp.P-21 (2009 11月) 詳細
[30]. Possibility of nanosize current switching device based on styrene chains -interaction between double chains- 10th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures pp.151 (2009 9月) 詳細
[31]. Optical Ionization Of Amino Acids Using Amino-acid/Semiconductor Junctions The proceedings of the 28th International Conference on the Physics of Semiconductors pp.1461-1462 (2007 8月) 詳細
[32]. Control of amino-acid electronic structures on semiconductor surfaces The proceedings of the 27th International Conference on the Physics of Semiconductors pp.1089-1090 (2005 8月) 詳細
【国内会議発表】
[1]. 電子格子相互作用を介した欠陥反応機構 第12回紀州吉宗セミナー (2018 年度) 詳細
[2]. GaN中のGa欠陥移動の機構 日本物理学会2018年秋季大会 (2018 年度) 詳細
[3]. Si(001)表面における分子状酸素の安定構造 日本物理学会2018年秋季大会 (2018 年度) 詳細
[4]. AlN/InN半導体超格子のフォノンモード解析 日本物理学会2018年秋季大会 (2018 年度) 詳細
[5]. (ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の電子状態の理論 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス162委員会 第110回研究会・特別公開シンポジウム (2018 年度) 詳細
[6]. GaN中の欠陥に対する大規模電子状態計算 第11回紀州吉宗セミナー (2017 3月) 詳細
[7]. ヘマグルチニンと糖鎖結合状態の電子状態 日 本物理学会2017年秋季大会 (2017 年度) 詳細
[8]. Interacting Quasi-bandモデルを用いたSi1-xSnxの電子状態計算 日 本物理学会第73回年次大会 (2017 年度) 詳細
[9]. フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算 日 本物理学会第73回年次大会 (2017 年度) 詳細
[10]. (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論 応用物理学会2018年春季学術講演会 (2017 年度) 詳細
[11]. Ge(100)表面における初期酸化過程の安定構造 日本物理学会第70回年次大会 (2016 3月) 詳細
[12]. セラソーム表面電子状態の置換基依存性 第9回紀州吉宗セミナー (2016 2月) 詳細
[13]. セラソーム表面の安定構造 第10回紀州吉宗セミナー (2016 年度) 詳細
[14]. セラソーム表面電子状態における置換基の影響 日本物理学会2016年秋季大会 (2016 年度) 詳細
[15]. GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化 日本物理学会2016年秋季大会 (2016 年度) 詳細
[16]. 酸化ガリウム中の酸素空孔によるバンド分散変化 日本物理学会2016年秋季大会 (2016 年度) 詳細
[17]. 窒化物混晶半導体のIQB理論による電子状態計算 第27回光物性研究会 (2016 年度) 詳細
[18]. 混晶化合物半導体の IQB model による電子状態計算 : III-V(ZB) 第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015 9月) 詳細
[19]. GaN 中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化の第一原理 計算 第76回応用物理学会秋季学術講演会 (2015 9月) 詳細
[20]. セラソーム表面のミクロな構造 第8回紀州吉宗セミナー (2015 3月) 詳細
[21]. 混晶化合物半導体の電子状態計算:IQB modelの拡張 第62回応用物理学会春季学術講演会 (2015 3月) 詳細
[22]. セラソーム表面モデルの電子状態 日本物理学会第70回年次大会 (2015 3月) 詳細
[23]. C(111)表面におけるフェニルアラニンの電子状態と光イオン化 日本物理学会第69回年次大会 (2014 3月) 詳細
[24]. Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算 日本物理学会第69回年次大会 (2014 3月) 詳細
[25]. セラソームの電子状態 第7回紀州吉宗セミナー (2014 2月) 詳細
[26]. セラソームモデルの電子状態 NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2014 (2014 年度) 詳細
[27]. C(111)表面におけるフェニルアラニンの電子状態 大阪府立大•和歌山大工学研究シーズ合同発表会 (2014 年度) 詳細
[28]. シロキサン結合で強化された脂質2分子膜の電子状態 和歌山大学-徳島大学 光・ナノテクノロジー研究会 (2013 8月) 詳細
[29]. シロキサン結合で補強された脂質二分子膜の電子状態計算 日本物理学会第68回年次大会 (2013 3月) 詳細
[30]. ヨウ素ドープしたリチウムフタロシアニン結晶の電子状態 日本物理学会第68回年次大会 (2013 3月) 詳細
[31]. Si(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析 日本物理学会第68回年次大会 (2013 3月) 詳細
[32]. ヨウ素ドープしたリチウムフタロシアニンの電子状態 NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2013 (2013 年度) 詳細
[33]. Si(100)表面上におけるスチレン-NH2鎖の構造安定性 日本物理学会2013年秋季大会 (2013 年度) 詳細
[34]. 有機半導体における不純物由来􏰀バンドによる伝導 第6回紀州吉宗セミナー (2012 11月) 詳細
[35]. Si(001)表面に吸着したDAT分子の吸着構造及びSTM像探針バイアス依存性 和歌山大学-徳島大学 光・ナノテクノロジー研究会 (2012 8月) 詳細
[36]. Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性 日本物理学会第67回年次大会 (2012 3月) 詳細
[37]. 第一原理計算を用いたSi(111)7x7表面におけるDAT分子の吸着状態解析 日本物理学会第67回年次大会 (2012 3月) 詳細
[38]. Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造及びSTM像探針バイアス依存性 NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2012 (2012 年度) 詳細
[39]. Si(001)表面に吸着したDAT分子の電子状態 日本物理学会2011年秋季大会 (2011 9月) 詳細
[40]. 有機LEDの高機能化へ向けた無機/有機界面の電子状態解析 第5回紀州吉宗セミナー (2011 8月) 詳細
[41]. [7]チアヘテロヘリセンに由来する分子伸縮の原子間力顕微鏡観察 日本化学会第91春季年会 (2011 3月) 詳細
[42]. Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態 日本物理学会第66回年次大会 (2011 3月) 詳細
[43]. シリコン表面における有機分子の選択的整列 第4回紀州吉宗セミナー (2010 8月) 詳細
[44]. シリコン表面における有機分子の選択的整列 第4回紀州吉宗セミナー (2010 8月) 詳細
[45]. LiPcIxの電子状態 日本物理学会 (2010 3月) 詳細
[46]. Si(100)表面におけるスチレン分子列間の相互作用 日本物理学会 (2010 3月) 詳細
[47]. 半導体表面吸着分子を用いたデバイスの提案 第3回紀州吉宗セミナー pp.2 (2009 8月) 詳細
[48]. 半導体表面におけるタンパク質の機能制御 光・量子デバイス研究会 pp.OQD-09-47 (2009 5月) 詳細
【受賞等】
[1]. 第65回応用物理学会春季学術講演会 Poster Award 応用物理学会 国内 2017
【招待講演、パネリスト、基調講演等】
[1]. 電子格子相互作用を介した欠陥反応機構 NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2018 (2018 11月) 詳細
[2]. 密度汎関数法を用いたSi基板上における diamino-p-terphenylの吸着状態 〜密度汎関数法の基礎〜 有機エレクトロニクス研究会 (2016 年度) 詳細
[3]. Ge(100)表面における初期酸化構造 NIMS ナノシミュレーション ワークショップ 2015 (2015 11月) 詳細
【科学研究費補助金】
[1]. 新学術領域研究(研究領域提案型) 特異構造を介してのエネルギー転換機構の理論 代表 ( 2017 - 2018 )
[2]. 基盤(C) 混晶化合物半導体における電子正孔再結合機構の研究 分担 ( 2009 ~2011 (3年) )
 

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