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基本情報

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産学連携イノベーションセンター

教授

恵下 隆 (エシタ タカシ)

Eshita Takashi

【性別】
【連絡先】
電話番号: 073-457-7571
FAX番号:
e-mail: eshita[at]center.wakayama-u.ac.jp
URL:
【専門分野】
無機材料・物性(結晶構造・組織制御,誘電体,強誘電体メモリ、半導体工学、強誘電体)
【研究紹介】
研究テーマ:
  強誘電体、強誘電体メモリ

内容:
  産学連携 強誘電体薄膜の成膜方法、強誘電体メモリの製造方法

研究紹介画像ファイル

キーワード:
  強誘電体メモリ、半導体デバイス、薄膜結晶成長、産学連携、知財教育
【取得学位】
工学博士 課程 名古屋大学 結晶材料工学
【所属学会】
応用物理学会 (フェロー (2013- ))
IEEE
電気化学会
【略歴(研究経歴)】
1981- 1986   アルカリハロイド中の緩和励起子の研究
1986- 1989   Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成膜の研究
1989- 1995   Si基板上へのⅢーV族化合物半導体薄膜のヘテロエピタキシャル成膜技術の研究
1995-   強誘電体メモリの研究
【略歴(研究職歴)】
1986- 1993   富士通㈱半導体事業本部
1993- 1996   ㈱富士通研究所 
1996- 2001   ㈱富士通研究所 主任研究員
2001- 2006   富士通㈱FRAMプロセス技術部 担当部長
2006- 2012   富士通㈱、富士通セミコンダクター㈱ FRAMプロセス技術部長
2012- 2015   富士通セミコンダクター㈱システムメモリ事業部 専任部長
2015- 2017   富士通セミコンダクター㈱システムメモリ事業部 主席部長
2016- 2017   和歌山大学産学連携イノベーションセンター客員教授
2017-   和歌山大学産学連携イノベーションセンター URA/教授
2017-   富士通セミコンダクター㈱システムメモリカンパニー シニアアドバイザー
【セールスポイント】
新しい半導体デバイスを開発。
 

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